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TI aumenta la producción de chips de GaN en Japón

Publicado 24.10.2024, 07:50 a.m
© Reuters.
TXN
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DALLAS y AIZU, Japón - Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN), empresa líder en semiconductores, ha anunciado el inicio de la producción de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) en sus instalaciones de Aizu, Japón. Esta ampliación, junto con sus operaciones en Dallas (Texas), multiplica por cuatro la capacidad interna de fabricación de GaN de TI.

El GaN, un material semiconductor, es conocido por su mayor eficiencia energética, sus altas velocidades de conmutación y su capacidad para soportar altas temperaturas y voltajes en comparación con el silicio tradicional. Estas propiedades hacen que los chips de GaN sean especialmente adecuados para aplicaciones compactas de alta densidad de potencia, como adaptadores de corriente y motores de bajo consumo.

El vicepresidente senior de Tecnología y Fabricación de TI, Mohammad Yunus, declaró que la tecnología GaN de 200 mm de la empresa ha sido cualificada para la producción en masa en Aizu. Destacó el objetivo de TI de internalizar más del 95% de su producción de chips GaN para 2030, garantizando un suministro fiable de su cartera de productos GaN.

Los chips GaN de la empresa están diseñados para la seguridad en sistemas de alta tensión, con más de 80 millones de horas de pruebas de fiabilidad y funciones de protección integradas. La nueva capacidad de fabricación no sólo aumenta el rendimiento y la eficiencia, sino que también favorece la sostenibilidad medioambiental al utilizar menos agua, energía y materias primas.

Kannan Soundarapandian, vicepresidente de alimentación de alto voltaje de TI, destacó la demanda del mercado de chips de alto rendimiento basados en GaN, ya que los diseñadores de sistemas pretenden reducir el consumo de energía y mejorar la eficiencia energética. Las etapas de potencia GaN integradas de TI permiten a los clientes conseguir una mayor densidad de potencia y reducir los costes del sistema.

De cara al futuro, TI también está escalando sus chips GaN a voltajes más altos, empezando por 900 V, para mejorar aún más la eficiencia energética y el tamaño en aplicaciones como la robótica y las energías renovables. La empresa ha puesto a prueba la fabricación de GaN en obleas de 300 mm y tiene previsto ampliarla a medida que aumenten las necesidades de los clientes.

El compromiso de TI con la fabricación responsable se ve subrayado por su promesa de utilizar electricidad 100% renovable en sus operaciones estadounidenses para 2027 y en todo el mundo para 2030.

Esta expansión forma parte de los esfuerzos continuos de TI por satisfacer la creciente demanda de soluciones de semiconductores energéticamente eficientes. La información se basa en un comunicado de prensa de Texas Instruments.

En otras noticias recientes, Texas Instruments Incorporated (NASDAQ:TXN) informó de resultados mixtos en su llamada de ganancias del tercer trimestre de 2024. La empresa mundial de semiconductores registró un aumento secuencial de los ingresos del 9%, hasta 4.200 millones de dólares, a pesar de un descenso interanual del 8%. El director financiero de la empresa, Rafael Lizardi, señaló un beneficio bruto de 2.500 millones de dólares y un beneficio neto de 1.400 millones de dólares, equivalente a 1,47 dólares por acción. En el último año, Texas Instruments devolvió 5.200 millones de dólares a los accionistas, lo que incluyó un aumento del dividendo del 5%.

BofA Securities ajustó recientemente su precio objetivo para Texas Instruments, reduciéndolo a 215 $ desde 220 $, manteniendo una calificación Neutral. La revisión refleja la preocupación por el crecimiento de las ventas de la empresa y las presiones sobre los márgenes, especialmente en su segmento más importante. El analista de BofA Securities también ajustó ligeramente a la baja la estimación de beneficios para el año natural 2025 en un 2%, fijándola en 5,55 dólares desde los 5,69 dólares anteriores.

Se trata de acontecimientos recientes que permiten conocer la evolución de la compañía y las expectativas del mercado.

Perspectivas de InvestingPro

La expansión estratégica de Texas Instruments (NASDAQ: TXN) de su capacidad de producción de GaN se alinea bien con su sólida posición en el mercado y su rendimiento financiero. Según datos de InvestingPro, TXN cuenta con una importante capitalización bursátil de 184.820 millones de dólares, lo que refleja su prominencia en el sector de los semiconductores.

El enfoque de la empresa en chips GaN de alto rendimiento para aplicaciones de eficiencia energética es especialmente relevante dado su impresionante margen de beneficio bruto del 58,63% en los últimos doce meses. Esta sólida rentabilidad sugiere que TXN tiene la flexibilidad financiera para invertir en tecnologías avanzadas como GaN.

InvestingPro Tips destaca el compromiso de TXN con el valor para el accionista, señalando que la empresa ha aumentado su dividendo durante 21 años consecutivos y ha mantenido el pago de dividendos durante 54 años consecutivos. Este historial de crecimiento constante de los dividendos, junto con una rentabilidad por dividendo actual del 2,7%, puede atraer a los inversores centrados en los ingresos interesados en las perspectivas a largo plazo de la empresa en el creciente mercado de GaN.

Aunque TXN cotiza cerca de su máximo de 52 semanas, con una relación precio/beneficios de 35,99, los inversores deben tener en cuenta que la expansión de la empresa en la producción de GaN podría impulsar el crecimiento futuro. Sin embargo, cabe señalar que 11 analistas han revisado a la baja sus previsiones de beneficios para el próximo periodo, lo que podría reflejar los retos a corto plazo en la industria de los semiconductores.

Para los lectores interesados en un análisis más completo, InvestingPro ofrece 16 consejos adicionales para Texas Instruments, proporcionando una comprensión más profunda de la salud financiera de la compañía y su posición en el mercado.

Este artículo fue traducido con la ayuda de inteligencia artificial. Para obtener más información, consulte nuestros Términos de Uso.

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